目前，市場上主流的存儲器呈現(xiàn)三強鼎立的局面。據(jù)IC Insights預測，由于上半年價格的暴跌，全球存儲器市場在2016年整年里同比下降1%，2017年起市場將整體“回暖”，2020年其市場規(guī)模將達1000億美元。

 
　　存儲器是現(xiàn)代信息技術中用于保存信息的記憶設備。在計算機的運算過程中，輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都會保存在存儲器里，可以說存儲器是現(xiàn)代信息技術發(fā)展的核心部件之一。
 
　　在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。
 
　　這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，自2016年下半年開始存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續(xù)至2016年末。不過據(jù)IC Insights估算，由于上半年價格的暴跌，2016全球存儲器市場同比下降1%。
 
　　目前，市場上主流的存儲器呈現(xiàn)三強鼎立的局面——DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)、NANDFlash(資料儲存型閃存)和NORFlash(非易失閃存)。2016年第一季度，DRAM市場93%的份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而閃存市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾六家瓜分。
 
　　從產(chǎn)業(yè)方面講，無論是DRAM還是NANDFlash都處于高度壟斷，即便是有可能帶來產(chǎn)業(yè)變革機會的3D NAND產(chǎn)品，目前國際存儲大廠也在不斷疊加高技術壁壘。三星在3D NAND方面處于領先地位，主流技術已經(jīng)是64層的3D NAND，且其3D NAND產(chǎn)出己經(jīng)占到其NAND總出貨量的40%。東芝公司的追趕也很快。東芝計劃在2017年3D NAND占NAND產(chǎn)出的50%，2018年達80%。國際企業(yè)給中國大陸發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的機會窗口期將不長。
 
　　受到智能手機需求的影響，2016年第三季度NAND閃存開始漲價，使得NAND廠商營收季度增長19.6%，營業(yè)利潤率環(huán)比大幅增加。DRAMeXchange預測認為，第四季度各類電子終端設備的出貨量將進入年度高峰期，預估整體NAND閃存將呈供不應求的狀況，NAND閃存的合約價格漲幅將會更高。
 
　　DRAM是2013與2014年存儲器市場增長的主力軍，但2015年DRAM銷售額下降3%，2016年下跌10%，這導致全球存儲器市場連續(xù)兩年下跌。預計2017年DRAM價格將大幅上漲，從而帶動DRAM市場增長11%。NAND閃存在2016年還是實現(xiàn)了增長，2017年將再增長10%。
 
　　IC Insights預計2017年存儲器價格還將上漲，從而推動全球存儲器市場規(guī)模達到創(chuàng)紀錄的853億美元，同比增長10%。而今后幾年存儲器市場都將非常健康，在2020年之前每年都能保證增長，并于2020年達到1000億美元的規(guī)模。2021年可能接近1100億美元左右。
 
　　與此同時， IC Insights認為，從2016年到2021年年平均增長率可達7.3%，比集成電路整體市場年復合增長率高2.4個百分點，存儲器模組的年復合增長率為5.6%，價格上漲成為存儲器市場表現(xiàn)好的極大因素。不過IC Insights預計，從現(xiàn)在到2021年，每年存儲器價格都將上漲，平均價格每年上漲1.8%。
 
　　另外，中國近些年也一直很關注存儲器的發(fā)展。2016年武漢、合肥、深圳、泉州等多地紛紛傳出加碼存儲器芯片的聲音，擬布局或開工建設存儲器芯片生產(chǎn)線。例如，北京有紫光集團宣布投資300億美元做存儲器，武漢有武漢新芯準備耗資240億美元打造國家級存儲器基地，合肥放言要打造IC之都，福建晉江也在躍躍欲試。
 
　　現(xiàn)如今，中國存儲器產(chǎn)業(yè)形成了三路進擊的趨勢，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也開始蠢蠢欲動。

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