半導(dǎo)體行業(yè)三足鼎立 誰將坐上芯片霸主之位?
2017-01-05 來源:中國智能制造網(wǎng) 評論:0摘要: 近年來,英特爾、三星與臺積電三足鼎立之勢已成,龍頭地位爭奪戰(zhàn)愈演愈烈。與此同時(shí),隨著智能硬件對芯片性能、功耗的要求提升,對
近年來,英特爾、三星與臺積電三足鼎立之勢已成,龍頭地位爭奪戰(zhàn)愈演愈烈。與此同時(shí),隨著智能硬件對芯片性能、功耗的要求提升,對先進(jìn)工藝的掌控成為三家企業(yè)互相競爭的主要手段之一。
近幾年來,隨著智能硬件對芯片性能、功耗的要求提升,英特爾、臺積電、三星等半導(dǎo)體制造巨頭在先進(jìn)工藝方面進(jìn)行了大規(guī)模的投資。目前,競爭的焦點(diǎn)正從14/16納米工藝轉(zhuǎn)移至10納米之上。
其中,臺積電在公布2015年年報(bào)時(shí)表示,2016年臺積電將完成10納米的技術(shù)驗(yàn)證,預(yù)計(jì)于2017年進(jìn)入量產(chǎn);三星半導(dǎo)體資深總監(jiān)Kevin Low在一次演講中表示,2016年稍晚三星半導(dǎo)體10納米芯片制程技術(shù)將投入生產(chǎn),有信心三星半導(dǎo)體在制程技術(shù)上再次取得領(lǐng)先。
相較而言,高居半導(dǎo)體龍頭地位的英特爾一直顯得“老神在在”,很少對外說明其10納米的進(jìn)度。然而,在三星以及臺積電的追趕下,英特爾也有些撐不住氣。就在IDF 2016上,英特爾高調(diào)宣布了其與ARM公司達(dá)成的新授權(quán)協(xié)議,根據(jù)協(xié)議條款,英特爾計(jì)劃允許第三方半導(dǎo)體公司使用其10納米生產(chǎn)線來制造基于ARM的智能機(jī)芯片。
不難看出,英特爾、臺積電、三星這三大勢力實(shí)力相當(dāng),單憑一己之力可能短時(shí)間內(nèi)無法決出勝負(fù)。基于種種考慮,英特爾展開了與其中一方臺積電的合作。據(jù)報(bào)道稱,英特爾將推出搭載由臺積電20nm代工的Altera Arria 10可程式邏輯閘陣列的深度學(xué)習(xí)加速卡,以及搭載由臺積電28nm代工的Lake Crest處理器的類神經(jīng)網(wǎng)路加速平臺。
此次英特爾為AI推出Intel Nervana平臺,同時(shí)預(yù)定在未來3年讓訓(xùn)練深度學(xué)習(xí)模型所耗用的時(shí)間比采用繪圖處理器解決方案減少百倍。一是針對基本機(jī)器深度學(xué)習(xí)設(shè)計(jì)的英特爾Skylake架構(gòu)Xeon處理器,亦即將在2017年下半年面市的Purley平臺,二是針對高效能機(jī)器學(xué)習(xí)打造、研發(fā)代號為Knights Mill的Xeon Phi協(xié)同處理器,可大幅縮減機(jī)器學(xué)習(xí)的訓(xùn)練時(shí)間。
三是英特爾針對低延遲及可程式化機(jī)器深度學(xué)習(xí)推出基于FPGA的AI加速解決方案,亦即英特爾在2016年底宣布將推出的深度學(xué)習(xí)加速卡DLIA,不僅可用在影像辨識應(yīng)用,搭配了由臺積電20nm制程代工的Altera Arria 10系列FPGA,可讓數(shù)據(jù)中心具備大量數(shù)據(jù)吞吐能力。
四是英特爾透過結(jié)合Xeon處理器及針對AI打造的Lake Crest處理器,可針對類神經(jīng)網(wǎng)路進(jìn)行最佳化,為深度學(xué)習(xí)提供最高效能,而Lake Crest芯片主要委由臺積電28nm制程代工,將在2017年上半年進(jìn)行測試,完整平臺會在下半年正式推出。
其實(shí)這并不是英特爾與臺積電的第一次合作,早在2009年3月,英特爾就曾宣布,已與臺積電簽署諒解備忘錄。根據(jù)這一備忘錄,英特爾將向臺積電提供其“凌動”處理器內(nèi)核,并由后者制造基于“凌動”處理器的系統(tǒng)芯片等產(chǎn)品。
而此次英特爾與臺積電的聯(lián)手,看似美好,或許只是英特爾的一廂情愿。在2017年剛剛來臨之際,臺積電有了新動作。媒體援引供應(yīng)鏈廠商消息稱,臺積電的7納米芯片制造工藝將于2018年初大規(guī)模量產(chǎn),從而趕上蘋果秋季的iPhone升級。今年二季度流片主要是為了提前調(diào)試良品率,為明年秋天的新iPhone和新iPad做準(zhǔn)備。
消息人士透露,臺積電聯(lián)席首席執(zhí)行官劉德音表示,公司將于今年完成7納米工藝開發(fā),然后2018年對生產(chǎn)線進(jìn)行改造,2019年完成5納米工藝開發(fā)。Foxbusiness披露,臺積電披露了7納米工藝細(xì)節(jié),與16納米工藝相比,7納米工藝速度將提升40%,能耗將降低逾65%,芯片面積只相當(dāng)于原來的0.43倍。
除了蘋果,將來高通、賽靈思和英偉達(dá)也將成為臺積電的大客戶。另外,目前已確定有15家客戶將使用臺積電的7納米技術(shù),而臺積電希望能達(dá)到20家。臺積電此舉對于英特爾、三星而言,可謂重磅炸彈。
眾所周知,近年來全球半導(dǎo)體業(yè)中“大者恒大”的趨勢日益明顯,英特爾、三星與臺積電三足鼎立之勢已成,正在持續(xù)爭奪龍頭地位。在此情況下,對先進(jìn)工藝的掌控成為三家企業(yè)互相競爭的主要手段之一。臺積電率先量產(chǎn)7nm芯片,無疑將其他兩大巨頭甩在身后。2對此,英特爾與三星將會作何反應(yīng),2017年又將有何布局,想必這一年的半導(dǎo)體市場不會太平靜。
相關(guān)熱詞搜索:半導(dǎo)體 芯片 先進(jìn)制造業(yè) 智能制造

近幾年來,隨著智能硬件對芯片性能、功耗的要求提升,英特爾、臺積電、三星等半導(dǎo)體制造巨頭在先進(jìn)工藝方面進(jìn)行了大規(guī)模的投資。目前,競爭的焦點(diǎn)正從14/16納米工藝轉(zhuǎn)移至10納米之上。
其中,臺積電在公布2015年年報(bào)時(shí)表示,2016年臺積電將完成10納米的技術(shù)驗(yàn)證,預(yù)計(jì)于2017年進(jìn)入量產(chǎn);三星半導(dǎo)體資深總監(jiān)Kevin Low在一次演講中表示,2016年稍晚三星半導(dǎo)體10納米芯片制程技術(shù)將投入生產(chǎn),有信心三星半導(dǎo)體在制程技術(shù)上再次取得領(lǐng)先。
相較而言,高居半導(dǎo)體龍頭地位的英特爾一直顯得“老神在在”,很少對外說明其10納米的進(jìn)度。然而,在三星以及臺積電的追趕下,英特爾也有些撐不住氣。就在IDF 2016上,英特爾高調(diào)宣布了其與ARM公司達(dá)成的新授權(quán)協(xié)議,根據(jù)協(xié)議條款,英特爾計(jì)劃允許第三方半導(dǎo)體公司使用其10納米生產(chǎn)線來制造基于ARM的智能機(jī)芯片。
不難看出,英特爾、臺積電、三星這三大勢力實(shí)力相當(dāng),單憑一己之力可能短時(shí)間內(nèi)無法決出勝負(fù)。基于種種考慮,英特爾展開了與其中一方臺積電的合作。據(jù)報(bào)道稱,英特爾將推出搭載由臺積電20nm代工的Altera Arria 10可程式邏輯閘陣列的深度學(xué)習(xí)加速卡,以及搭載由臺積電28nm代工的Lake Crest處理器的類神經(jīng)網(wǎng)路加速平臺。
此次英特爾為AI推出Intel Nervana平臺,同時(shí)預(yù)定在未來3年讓訓(xùn)練深度學(xué)習(xí)模型所耗用的時(shí)間比采用繪圖處理器解決方案減少百倍。一是針對基本機(jī)器深度學(xué)習(xí)設(shè)計(jì)的英特爾Skylake架構(gòu)Xeon處理器,亦即將在2017年下半年面市的Purley平臺,二是針對高效能機(jī)器學(xué)習(xí)打造、研發(fā)代號為Knights Mill的Xeon Phi協(xié)同處理器,可大幅縮減機(jī)器學(xué)習(xí)的訓(xùn)練時(shí)間。
三是英特爾針對低延遲及可程式化機(jī)器深度學(xué)習(xí)推出基于FPGA的AI加速解決方案,亦即英特爾在2016年底宣布將推出的深度學(xué)習(xí)加速卡DLIA,不僅可用在影像辨識應(yīng)用,搭配了由臺積電20nm制程代工的Altera Arria 10系列FPGA,可讓數(shù)據(jù)中心具備大量數(shù)據(jù)吞吐能力。
四是英特爾透過結(jié)合Xeon處理器及針對AI打造的Lake Crest處理器,可針對類神經(jīng)網(wǎng)路進(jìn)行最佳化,為深度學(xué)習(xí)提供最高效能,而Lake Crest芯片主要委由臺積電28nm制程代工,將在2017年上半年進(jìn)行測試,完整平臺會在下半年正式推出。
其實(shí)這并不是英特爾與臺積電的第一次合作,早在2009年3月,英特爾就曾宣布,已與臺積電簽署諒解備忘錄。根據(jù)這一備忘錄,英特爾將向臺積電提供其“凌動”處理器內(nèi)核,并由后者制造基于“凌動”處理器的系統(tǒng)芯片等產(chǎn)品。
而此次英特爾與臺積電的聯(lián)手,看似美好,或許只是英特爾的一廂情愿。在2017年剛剛來臨之際,臺積電有了新動作。媒體援引供應(yīng)鏈廠商消息稱,臺積電的7納米芯片制造工藝將于2018年初大規(guī)模量產(chǎn),從而趕上蘋果秋季的iPhone升級。今年二季度流片主要是為了提前調(diào)試良品率,為明年秋天的新iPhone和新iPad做準(zhǔn)備。
消息人士透露,臺積電聯(lián)席首席執(zhí)行官劉德音表示,公司將于今年完成7納米工藝開發(fā),然后2018年對生產(chǎn)線進(jìn)行改造,2019年完成5納米工藝開發(fā)。Foxbusiness披露,臺積電披露了7納米工藝細(xì)節(jié),與16納米工藝相比,7納米工藝速度將提升40%,能耗將降低逾65%,芯片面積只相當(dāng)于原來的0.43倍。
除了蘋果,將來高通、賽靈思和英偉達(dá)也將成為臺積電的大客戶。另外,目前已確定有15家客戶將使用臺積電的7納米技術(shù),而臺積電希望能達(dá)到20家。臺積電此舉對于英特爾、三星而言,可謂重磅炸彈。
眾所周知,近年來全球半導(dǎo)體業(yè)中“大者恒大”的趨勢日益明顯,英特爾、三星與臺積電三足鼎立之勢已成,正在持續(xù)爭奪龍頭地位。在此情況下,對先進(jìn)工藝的掌控成為三家企業(yè)互相競爭的主要手段之一。臺積電率先量產(chǎn)7nm芯片,無疑將其他兩大巨頭甩在身后。2對此,英特爾與三星將會作何反應(yīng),2017年又將有何布局,想必這一年的半導(dǎo)體市場不會太平靜。
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