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我國首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)

2018-04-16   來源:   評論:0
摘要:位于武漢“中國光谷”的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場安裝,這標(biāo)志著國家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn),從而填補(bǔ)我國主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。
  位于武漢“中國光谷”的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場安裝,這標(biāo)志著國家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn),從而填補(bǔ)我國主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。
  目前,我國通用存儲(chǔ)器基本全部依賴進(jìn)口,國家存儲(chǔ)器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團(tuán)隊(duì)歷時(shí)2年自主研發(fā)的芯片,是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片,有望使我國進(jìn)入全球存儲(chǔ)芯片第一梯隊(duì),有力提升“中國芯”在國際市場的地位。
  據(jù)介紹,國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目2016年由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè),總投資240億美元,項(xiàng)目一期總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。
  紫光集團(tuán)董事長趙偉國表示,今年10月設(shè)備將點(diǎn)亮投產(chǎn),預(yù)計(jì)2019年底64層閃存產(chǎn)品將實(shí)現(xiàn)爬坡量產(chǎn)。未來十年,紫光集團(tuán)計(jì)劃至少還將投資1000億美元,相當(dāng)于平均每年投入100億美元,進(jìn)一步拉近我國在高端芯片領(lǐng)域與先進(jìn)國家的距離。
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