每只IGBT芯片的制造需要通過(guò)200多道工序，其中涉及半導(dǎo)體、機(jī)械、電子、計(jì)算機(jī)、材料和化工等多門(mén)復(fù)雜學(xué)科融合，目前在國(guó)際上能制造大功率IGBT芯片的企業(yè)也是少之又少。

這項(xiàng)技術(shù)誕生30多年來(lái)，一直被德國(guó)、日本等制造強(qiáng)國(guó)把控。三年前，中國(guó)自主研發(fā)取得突破。今天，中車(chē)的IGBT生產(chǎn)線(xiàn)，每年能制造12萬(wàn)支芯片。全世界，這樣的生產(chǎn)線(xiàn)只有兩條。